晶圓傳片設(shè)備主要由潔凈大氣機械手、晶圓載物臺、晶圓對準器、視覺系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、空氣過濾器組成一個高潔凈度的運行空間，工廠自動化系統(tǒng)調(diào)度天車將晶圓盒放在晶圓載物臺上，晶圓載物臺通過開盒裝置將晶圓盒打開，并將晶圓盒與設(shè)備的潔凈空間連通，晶圓載物臺在開盒時會掃描晶圓的位置并和工廠自動化系統(tǒng)中的晶圓位置進行校驗，校驗無誤后工廠自動化系統(tǒng)會發(fā)送任務(wù)到晶圓傳片設(shè)備，晶圓傳片設(shè)備會根據(jù)任務(wù)來對傳片、缺口和圓心對準、讀取ID、翻片、倒片等動作進行組合，任務(wù)結(jié)束后晶圓載物臺會掃描晶圓位置并關(guān)閉晶圓盒，工廠自動化系統(tǒng)會調(diào)度天車將晶圓盒取走到下程。晶圓傳片設(shè)備的應(yīng)用可以使晶圓下線、傳片、翻片、出廠過程實現(xiàn)全自動化運行，可以顯著提升晶圓制造的效率和良率。

產(chǎn)品特點：

立自主知識產(chǎn)權(quán)的直線型單臂機械手，具有高可靠性、高穩(wěn)定性。

設(shè)備配有FFU，采用全封閉結(jié)構(gòu)，可發(fā)揮超潔凈性能，其潔凈度達Class1。

可實現(xiàn)對晶圓缺口的檢測并依據(jù)缺口位置對晶圓進行定位。

配備CCD傳感器及圖像處理軟件，可對晶圓ID刻號進行識別與讀取；

可依據(jù)客戶需求，非標定制。

晶圓在加工過程中，需要對其進行劃片處理，目前現(xiàn)有的晶圓劃片設(shè)備村子按以下不足：1、晶圓初的放置隨意性較大，影響后續(xù)晶圓的對正工作；2、每次只能對晶圓的一個表面進行劃片處理，導(dǎo)致正反面劃片的深度難以控制，增加了后期打磨的工作。

現(xiàn)階段，硬脆材料切割技術(shù)主要有外圓切割、內(nèi)圓切割和線銘切割。外圓切割組然操作簡單，但據(jù)片剛性差，切割全過程中鋸片易方向跑偏.造成被切割工們的平面度差；而內(nèi)圓切割只有進行直線切割，沒法進行斜面切割。線鋸切割技術(shù)具備割縫窄、率、切成片、可進行曲線圖切別等優(yōu)點成為口前普遍選用的切割技術(shù)。

在芯片的分割期間，刀片碾碎基礎(chǔ)材料(晶圓)，同時去掉所產(chǎn)生的碎片。材料的去掉沿著晶方(dice)的有源區(qū)域之間的切割線(跡道)發(fā)生的。冷卻劑(通常是去離子水)指到切割縫內(nèi)，改善切割品質(zhì)，和通過幫助去掉碎片而延長刀片壽命。每條跡道(street)的寬度(切口)與刀片的厚度成比例。

在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準運算的設(shè)備。當用窄跡道切割晶圓時的一個常見的推薦是，選擇盡可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20μm)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對于50~76μm跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30μm。

通常，切割的硅晶圓的質(zhì)量標準是：如果背面碎片的尺寸在10μm以下，忽略不計。另一方面，當尺寸大于25μm時，可以看作是潛在的受損。可是，50μm的平均大小可以接受，示晶圓的厚度而定。現(xiàn)在可用來控制背面碎片的工具和技術(shù)是刀片的優(yōu)化，接著工藝參數(shù)的優(yōu)化。

切割參數(shù)對材料清除率有直接關(guān)系，它反過來影響刀片的性能和工藝效率。對于一個工藝為了優(yōu)化刀片，設(shè)計試驗方法(DOE, designed experiment)可減少所需試驗的次數(shù)，并提供刀片特性與工藝參數(shù)的結(jié)合效果。另外，設(shè)計試驗方法(DOE)的統(tǒng)計分析使得可以對有用信息的推斷，以建議達到甚至更高產(chǎn)出和/或更低資產(chǎn)擁有成本的進一步工藝優(yōu)化。

一種全自動晶圓劃片機，包括機架，機架的一側(cè)設(shè)置有激光器，激光器的下方設(shè)置有旋轉(zhuǎn)劃片工作臺，其特征在于：機架的另一側(cè)設(shè)置有自動放收料裝置，自動放收料裝置的旁側(cè)設(shè)置有理料機構(gòu)，自動放收料裝置與理料機構(gòu)之間連接有夾料機械手，理料機構(gòu)與劃片工作臺之間設(shè)置有兩組相互錯位的吸料機械手。