SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不60V，高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關注的熱點。近幾年，SBD已取得了突破性的進展，150V和200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應用注入了新的生機與活力。

肖特基二極管，一種與傳統(tǒng)PN結二極管不同的電子元件，借助金屬和半導體之間的勢壘效應產(chǎn)生整流效果。在電子學中，這種接觸被稱為“金屬半導體結”，簡稱肖特基勢壘二極管，通常被稱為肖特基二極管。主要采用硅（Si）半導體材料制造，也有少量使用砷化鎵（GaAs）制作的。

肖特基二極管在電路中有著廣泛的應用，包括但不限于整流、續(xù)流、保護和小信號檢波等功能。它特別適用于低電壓、大電流的電路，如驅(qū)動器、開關電源、變頻器和逆變器等。這些領域中，肖特基二極管能夠發(fā)揮出其高速、低能耗的特點，提升電路的效率和性能。

對于點接觸型肖特基二極管，它在微波通信電路方面具有重要地位。此外，鋁硅肖特基二極管在高頻電路中扮演著檢波和鑒頻的角色，取代了傳統(tǒng)的檢波二極管。需要注意的是，肖特基二極管的反向耐壓相對較低，不適用于高反壓電路。

面結合型管性能要優(yōu)于點接觸管,

主要原因在于:
1) 點接觸管表面不易清潔，針點壓力會造成半導體表面畸變。其接觸勢壘不是理想的肖特基勢壘受到機械震動時還會產(chǎn)生顫抖噪聲。面結合型管金半接觸界面比較平整不暴露而較易清潔其接觸勢壘幾乎是理想的肖特基勢壘。

2) 不同的點接觸管在生產(chǎn)時壓接壓力不同使得肖特基結的直徑不同。因此性能一致性差可靠性也差。
肖特基二極體大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極管，其反向偏壓額定耐壓高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實務設計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。當然，隨著工藝技術和肖特基二極管技術的進步，其反向偏壓的額定值也再提高。