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馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管 |
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SiC 肖特基勢(shì)壘二極管在 1985 年問(wèn)世，是 Yoshida 制作在 3C-SiC 上的，它的肖特基勢(shì)壘高度用電容測(cè)量是 1.15 (±0.15) eV，用光響應(yīng)測(cè)量是 1.11 (±0.03) eV，它的擊穿電壓只有8 V，只6H-SiC肖特基二極管的擊穿電壓大約有200 V，它是由 Glover. G. H 報(bào)道出來(lái)的。Bhatnagar 報(bào)道了個(gè)高壓 400 V 6H-SiC 肖特基勢(shì)壘二極管 ，這個(gè)二極管有低通態(tài)壓降（1 V），沒(méi)有反向恢復(fù)電流。隨著碳化硅單晶、外延質(zhì)量及碳化硅工藝水平不斷地不斷提高，越來(lái)越多性能的碳化硅肖特基二極管被報(bào)道。1993 年報(bào)道了只擊穿電壓超過(guò) 1000V的碳化硅肖特基二極管，該器件的肖特基接觸金屬是 Pd，它采用 N 型外延的摻雜濃度1×10cm，厚度是 10μm。的4H-SiC單晶的在 1995 年左右出現(xiàn)，它比6H-SiC的電子遷移率要高，臨界擊穿電場(chǎng)要大很多，這使得人們更傾向于研究4H-SiC的肖特基二極管。
功率二極管是功率半導(dǎo)體器件的重要組成部分，主要包括 PiN 二極管，肖特基勢(shì)壘二極管和結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管。本章主要介紹了肖特基勢(shì)壘的形成及其主要電流輸運(yùn)機(jī)理。并詳細(xì)介紹了肖特基二極管和結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管的電學(xué)特性及其工作原理，為后兩章對(duì) 4H-SiC JBS 器件電學(xué)特性的仿真研究奠定了理論基礎(chǔ)。
碳化硅（SiC）是一種的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的器件。
| 主營(yíng)行業(yè)：齊納二極管 |
| 公司主營(yíng)：高壓觸發(fā)二極管,合金軟橋,Low 肖特基二極管,可控硅 |
| 主營(yíng)地區(qū)：中國(guó) |
| 企業(yè)類(lèi)型：有限責(zé)任公司 |
| 注冊(cè)資金：人民幣1000萬(wàn) |
| 公司成立時(shí)間：2007-12-13 |
| 員工人數(shù)：51 - 100 人 |
| 研發(fā)部門(mén)人數(shù)：11 - 50 人 |
| 經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)型 |
| 最近年檢時(shí)間：2024年 |
| 經(jīng)營(yíng)范圍：電力電子元器件的技術(shù)研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn);碳化硅芯片及電子產(chǎn)品的技術(shù)咨詢服務(wù)及技術(shù)轉(zhuǎn)讓;銷(xiāo)售:各高科技新型電子元器件、集成電器、家用電器、儀器儀表、電容器、電阻器、高壓電源器、變壓器、新能源汽車(chē)充電樁、機(jī)電自動(dòng)化設(shè)備、自動(dòng)化設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)件、汽車(chē)電子配件、五金氣動(dòng)配件、建筑機(jī)械及配件、通訊設(shè)備及配件、環(huán)保設(shè)備及產(chǎn)品、過(guò)濾設(shè)備及材料、絕緣材料、防靜電產(chǎn)品、塑料制品、橡膠制品;智能家居室內(nèi)外裝飾工程設(shè)計(jì)、承接照明安裝工程、室內(nèi)水電安裝服務(wù);貨物及技術(shù)進(jìn)出口。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)) |
| 是否提供OEM：是 |
| 公司郵編：523000 |
| 公司電話：0769-22302199 |
| 公司傳真：0769-23158049 |
| 公司郵箱：jiaxundz@qq.com |
| 公司網(wǎng)站：http://www.jiaxundz.com/ |
————— 認(rèn)證資質(zhì) —————
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