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馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管,馬碳化硅肖特基二極管 |
面向地區 |
SBD 在導通過程中沒有額外載流子的注入和儲存，因而反向恢復電流小，關斷過程很快，開關損耗小。傳統的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數差都不很大，硅的肖特基勢壘較低，硅 SBD 的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在 150 ℃以上工作。然而，碳化硅 SBD彌補了硅 SBD 的不足，許多金屬，例如鎳、金、鈀、鈦、鈷等，都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度 1 eV 以上的肖特基接觸。據報道，Au/4H-SiC 接觸的勢壘高度可達到 1.73 eV，Ti/4H-SiC 接觸的勢壘比較低，但高也可以達到 1.1 eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬，低只有 0.5 eV，高可達1.7 eV。于是，SBD 成為人們開發碳化硅電力電子器件關注的對象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結合的理想器件。目前國際上相繼研制成功水平較高的多種類的碳化硅器件。
金屬與半導體的功函數不同，電荷越過金屬/半導體界面遷移，產生界面電場，半導體表面的能帶發生彎曲，從而形成肖特基勢壘，這就是肖特基接觸。金屬與半導體接觸形成的整流特性有兩種形式，一種是金屬與 N 型半導體接觸，且 N 型半導體的功函數小于金屬的功函數；另一種是金屬與 P 型半導體接觸，且 P 型半導體的功函數大于金屬的功函數。
肖特基二極管的反向阻斷特性較差，是受肖特基勢壘變低的影響。為了獲得高擊穿電壓，漂移區的摻雜濃度很低，因此勢壘形成并不求助于減小 PN 結之間的間距。調整肖特基間距獲得與 PiN 擊穿電壓接近的 JBS，但是 JBS 的高溫漏電流大于 PiN，這是來源于肖特基區。JBS 反向偏置時，PN 結形成的耗盡區將會向溝道區擴散和交疊，從而在溝道區形成一個勢壘，使耗盡層隨著反向偏壓的增加向襯底擴展。這個耗盡層將肖特基界面屏蔽于高場之外，避免了肖特基勢壘降低效應，使反向漏電流密度大幅度減小。此時 JBS 類似于 PiN 管。反向漏電流的組成主要由兩部分：一是來自肖特基勢壘的注入；二是耗盡層產生電流和擴散電流。
| 主營行業：齊納二極管 |
| 公司主營：高壓觸發二極管,合金軟橋,Low 肖特基二極管,可控硅 |
| 主營地區：中國 |
| 企業類型：有限責任公司 |
| 注冊資金：人民幣1000萬 |
| 公司成立時間：2007-12-13 |
| 員工人數：51 - 100 人 |
| 研發部門人數：11 - 50 人 |
| 經營模式：生產型 |
| 最近年檢時間：2024年 |
| 經營范圍：電力電子元器件的技術研發、設計、生產;碳化硅芯片及電子產品的技術咨詢服務及技術轉讓;銷售:各高科技新型電子元器件、集成電器、家用電器、儀器儀表、電容器、電阻器、高壓電源器、變壓器、新能源汽車充電樁、機電自動化設備、自動化設備標準件、汽車電子配件、五金氣動配件、建筑機械及配件、通訊設備及配件、環保設備及產品、過濾設備及材料、絕緣材料、防靜電產品、塑料制品、橡膠制品;智能家居室內外裝飾工程設計、承接照明安裝工程、室內水電安裝服務;貨物及技術進出口。(依法須經批準的項目,經相關部門批準后方可開展經營活動) |
| 是否提供OEM：是 |
| 公司郵編：523000 |
| 公司電話：0769-22302199 |
| 公司傳真：0769-23158049 |
| 公司郵箱：jiaxundz@qq.com |
| 公司網站：http://www.jiaxundz.com/ |
