關鍵詞 |
MOSFET二極管 |
面向地區 |
MOSFET中用內部二極管，保護器件免受因連接的電感性負載,產生的反向EMF尖峰的影響。當電感負載與MOSFET漏極接通時,電能立即存儲在負載內部，并且在下一個瞬間隨著關閉,該存儲的EMF從MOSFET源極到漏極,從而導致MOSFET性損壞。在器件的漏源極間存在一個內部二極管，通過允許反電動勢尖峰穿過二極管來阻止MOSFET被損壞，保護MOSFET。
功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關系，使用者無法降低Cin，但可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數，加快開關速度，MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關斷過程非常迅速，開關時間在10—100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，是主要電力電子器件中高的。場控器件靜態時幾乎不需輸入電流。但在開關過程中需對輸入電容充放電，仍需一定的驅動功率。開關頻率越高，所需要的驅動功率越大。
MOSFET結構中所附帶的本征二極管具有一定的雪崩能力。通常用單次雪崩能力和重復雪崩能力來表達。當反向di/dt很大時，二極管會承受一個速度非常快的脈沖尖刺，它有可能進入雪崩區，一旦其雪崩能力就有可能將器件損壞。作為任一種PN結二極管來說，仔細研究其動態特性是相當復雜的。它們和我們一般理解PN結正向時導通反向時阻斷的簡單概念很不相同。當電流迅速下降時，二極管有一階段失去反向阻斷能力，即所謂反向恢復時間。PN結要求迅速導通時，也會有一段時間并不顯示很低的電阻。在功率MOSFET中一旦二極管有正向注入，所注入的少數載流子也會增加作為多子器件的MOSFET的復雜性。
在硅基MOSFET中，GATE端子通常由特定的SiO2層絕緣。 導電通道的電荷載流子產生相反的電荷，在這種情況下，n通道為e型p型襯底，p通道為n型襯底“空穴”。 這將通過在GATE端子上施加電壓在硅絕緣體邊緣的半導體中感應到。 e-將進入和離開n +源極和漏極端子的通道，此通道為n通道金屬氧化物半導體場效應晶體管。 在p型金屬氧化物半導體場效應晶體管期間，這將是p +觸點。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
| 主營行業：齊納二極管 |
| 公司主營：高壓觸發二極管,合金軟橋,Low 肖特基二極管,可控硅 |
| 主營地區：中國 |
| 企業類型：有限責任公司 |
| 注冊資金：人民幣1000萬 |
| 公司成立時間：2007-12-13 |
| 員工人數：51 - 100 人 |
| 研發部門人數：11 - 50 人 |
| 經營模式：生產型 |
| 最近年檢時間：2024年 |
| 經營范圍：電力電子元器件的技術研發、設計、生產;碳化硅芯片及電子產品的技術咨詢服務及技術轉讓;銷售:各高科技新型電子元器件、集成電器、家用電器、儀器儀表、電容器、電阻器、高壓電源器、變壓器、新能源汽車充電樁、機電自動化設備、自動化設備標準件、汽車電子配件、五金氣動配件、建筑機械及配件、通訊設備及配件、環保設備及產品、過濾設備及材料、絕緣材料、防靜電產品、塑料制品、橡膠制品;智能家居室內外裝飾工程設計、承接照明安裝工程、室內水電安裝服務;貨物及技術進出口。(依法須經批準的項目,經相關部門批準后方可開展經營活動) |
| 是否提供OEM：是 |
| 公司郵編：523000 |
| 公司電話：0769-22302199 |
| 公司傳真：0769-23158049 |
| 公司郵箱：jiaxundz@qq.com |
| 公司網站：http://www.jiaxundz.com/ |
